薄膜与镀膜材料

从显示面板到 AI 半导体芯片 —— LT金属的精密薄膜材料。

材料特性,决定显示性能。

在 LT金属,这份精密每天都更进一步。

薄膜材料通过溅射(Sputtering)或蒸镀(Evaporation)工艺,形成数纳米至数微米厚的功能性金属层。靶材的纯度、密度、晶体结构与成分均匀性,直接决定薄膜的电学与光学特性。在半导体、显示、太阳能电池、医疗器械等领域,薄膜材料的品质既决定产品性能,也决定制造的稳定性。 LT金属以自主粉体合成技术,实现了 ITO 靶材的韩国本土化生产。依托多年积累的金属合金技术,我们在陶瓷靶材与金属靶材上均实现了一致的品质与稳定的性能。

工艺选择指南

溅射 vs. 蒸镀 – 各工艺最佳材料

工艺方式 要求特性 LT Metal供应材料 主要应用
溅射
(Sputtering)
大面积均匀、Low Particle
高纯度、高密度
低电阻、蚀刻性·高附着力
高透过率、高反射率
Pure金属及合金靶材
陶瓷靶材
混合靶材
TFT Gate、S/D布线
Buffer、扩散阻挡、Capping Layer
Active Layer、透明电极
OLED Anode
Cathode
低反射膜、高反射膜
蒸镀
(Evaporation)
高纯度、Low Gas含量 Ag(Disk, Pellet, Granule)
Pt Pellet
OLED Cathode
研发用

显示 vs. 半导体 vs. 光伏 – 各行业最佳材料

行业 要求特性 LT Metal供应材料 主要应用
显示 大面积均匀、Low Particle
高纯度、高密度、Low Gas含量
低电阻、蚀刻性·高附着力
高透过率、高反射率
Pure金属及合金靶材
陶瓷靶材
混合靶材
TFT Gate、S/D布线
Buffer、扩散阻挡、Capping Layer
Active Layer、透明电极
OLED Anode
Cathode
低反射膜、高反射膜
研发用
半导体 高纯度、Low Gas含量
大面积均匀、Low Particle
晶粒控制
Pure金属及合金靶材 布线、Barrier、扩散阻挡
Bumping
EMI-Shield
研发用
光伏 大面积均匀、Low Particle
高纯度、高密度
高迁移率、低电阻、高透过率
陶瓷靶材
Pure金属靶材
晶硅TCO层
电极及种子Layer

为何选择 LT金属

三大设计能力

全球客户选择 LT金属,是因为我们在成分、结构与可靠性上的设计能力,能够实现客户所要求的性能与质量。这正是 LT金属的核心竞争力。

我们设计成分。

靶材的合金成分与杂质水平,直接决定薄膜的电学与光学特性。LT金属分析客户的镀膜工艺条件 —— 温度、压力、功率密度 —— 并据此设计成分与之匹配的靶材。

我们设计结构。

我们以自主原创技术合成 ITO 等功能性靶材所需的粉体,从源头设计粒度分布、氧含量与烧结密度。由此形成的靶材结构,可抑制颗粒产生与异常放电。

我们设计可靠性。

我们不止于供应材料。围绕客户的镀膜工艺,我们设计一套可靠性支持体系:工艺条件协商、样品评价,以及问题发生时的原因分析。

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