薄膜与镀膜材料
从显示面板到 AI 半导体芯片 —— LT金属的精密薄膜材料。
材料特性,决定显示性能。
在 LT金属,这份精密每天都更进一步。
薄膜材料通过溅射(Sputtering)或蒸镀(Evaporation)工艺,形成数纳米至数微米厚的功能性金属层。靶材的纯度、密度、晶体结构与成分均匀性,直接决定薄膜的电学与光学特性。在半导体、显示、太阳能电池、医疗器械等领域,薄膜材料的品质既决定产品性能,也决定制造的稳定性。 LT金属以自主粉体合成技术,实现了 ITO 靶材的韩国本土化生产。依托多年积累的金属合金技术,我们在陶瓷靶材与金属靶材上均实现了一致的品质与稳定的性能。
工艺选择指南
溅射 vs. 蒸镀 – 各工艺最佳材料
| 工艺方式 | 要求特性 | LT Metal供应材料 | 主要应用 |
|---|---|---|---|
| 溅射 (Sputtering) |
大面积均匀、Low Particle 高纯度、高密度 低电阻、蚀刻性·高附着力 高透过率、高反射率 |
Pure金属及合金靶材 陶瓷靶材 混合靶材 |
TFT Gate、S/D布线 Buffer、扩散阻挡、Capping Layer Active Layer、透明电极 OLED Anode Cathode 低反射膜、高反射膜 |
| 蒸镀 (Evaporation) |
高纯度、Low Gas含量 | Ag(Disk, Pellet, Granule) Pt Pellet |
OLED Cathode 研发用 |
显示 vs. 半导体 vs. 光伏 – 各行业最佳材料
| 行业 | 要求特性 | LT Metal供应材料 | 主要应用 |
|---|---|---|---|
| 显示 | 大面积均匀、Low Particle 高纯度、高密度、Low Gas含量 低电阻、蚀刻性·高附着力 高透过率、高反射率 |
Pure金属及合金靶材 陶瓷靶材 混合靶材 |
TFT Gate、S/D布线 Buffer、扩散阻挡、Capping Layer Active Layer、透明电极 OLED Anode Cathode 低反射膜、高反射膜 研发用 |
| 半导体 | 高纯度、Low Gas含量 大面积均匀、Low Particle 晶粒控制 |
Pure金属及合金靶材 | 布线、Barrier、扩散阻挡 Bumping EMI-Shield 研发用 |
| 光伏 | 大面积均匀、Low Particle 高纯度、高密度 高迁移率、低电阻、高透过率 |
陶瓷靶材 Pure金属靶材 |
晶硅TCO层 电极及种子Layer |
产品构成
负责人联系方式
· 封装材料:+82-32-820-9694
· 薄膜材料:+82-32-820-9694
· 封装材料:+82-32-820-9694
· 薄膜材料:+82-32-820-9694
为何选择 LT金属
三大设计能力
全球客户选择 LT金属,是因为我们在成分、结构与可靠性上的设计能力,能够实现客户所要求的性能与质量。这正是 LT金属的核心竞争力。
我们设计成分。
靶材的合金成分与杂质水平,直接决定薄膜的电学与光学特性。LT金属分析客户的镀膜工艺条件 —— 温度、压力、功率密度 —— 并据此设计成分与之匹配的靶材。
我们设计结构。
我们以自主原创技术合成 ITO 等功能性靶材所需的粉体,从源头设计粒度分布、氧含量与烧结密度。由此形成的靶材结构,可抑制颗粒产生与异常放电。
我们设计可靠性。
我们不止于供应材料。围绕客户的镀膜工艺,我们设计一套可靠性支持体系:工艺条件协商、样品评价,以及问题发生时的原因分析。